虽然该研究主要针对 Intel x86-64,但其深层问题出在RAM中。研究人员已经证实,其他架构也受影响,包括智能手机使用的ARM处理器。
密集的存储会导致相邻存储单元在特定条件下相互泄漏电荷,快速重复地访问物理存储位置,可导致邻近位置的比特位值从0变1或从1变0。此攻击不仅对ARM有效,甚至更容易在x86上实现。
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