这种基于硬件的攻击 无需软件漏洞和用户许可
密集的存储会导致相邻存储单元在特定条件下相互泄漏电荷，快速重复地访问物理存储位置，可导致邻近位置的比特位值从0变1或从1变0。此攻击不仅对ARM有效，甚至更容易在x86上实现。
标签：DRAM, 电荷泄露, 行锤击
密集的存储会导致相邻存储单元在特定条件下相互泄漏电荷，快速重复地访问物理存储位置，可导致邻近位置的比特位值从0变1或从1变0。此攻击不仅对ARM有效，甚至更容易在x86上实现。
标签：DRAM, 电荷泄露, 行锤击